華碩Prime B350-Plus 主板Bios設(shè)置|華碩主板重裝前設(shè)置Bios方法
- 2019-09-10 10:57:40 分類：教程
除了組裝電腦的Bios需要設(shè)置以外，一般電腦在出廠前廠家就已經(jīng)設(shè)置好Bios，所以普通用戶接觸這個(gè)功能不多，甚至在電腦沒(méi)有什么問(wèn)題的情況下，Bios也是可以不用升級(jí)和設(shè)置的。但是有一種情況，就是重裝系統(tǒng)，需要設(shè)置Bios，這篇文章是白云一鍵重裝系統(tǒng)選取了華碩Prime B350-Plus 主板，給大家用圖文的方法展示一下Bios設(shè)置，由于華碩主板的型號(hào)不斷更新?lián)Q代，自帶的Bios也會(huì)不斷更新，因此這篇文章的Bios界面僅供參考，尤其是一些華碩老主板，Bios界面是不一樣的。
1、開(kāi)機(jī)或重啟，也就是在出現(xiàn)華碩Logo的時(shí)候，通常屏幕底部會(huì)提示按什么將進(jìn)入Bios設(shè)置，一般是Del、Delete或F2進(jìn)入華碩主板的UEFI Bios設(shè)置，默認(rèn)的初始界面為：EZ Mode，也可以在設(shè)置中修改默認(rèn)為：Advanced Mode。EZ Mode界面能顯示主板信息，Bios版本，處理器、內(nèi)存、硬盤、風(fēng)扇等信息，右上角EZ系統(tǒng)調(diào)整可在一般、高性能和節(jié)能這三項(xiàng)中快速配置系統(tǒng)；
2、按下F7快捷鍵，可以在 EZ Mode 和 Advanced Mode 之間切換，這里主要顯示的是一些系統(tǒng)基礎(chǔ)信息，唯一可以修改的設(shè)置只有Bios語(yǔ)言；
3、使用方向鍵或鼠標(biāo)切換到 Ai Tweaker 項(xiàng)；
4、AI 超頻調(diào)整有自動(dòng)和DOCP二項(xiàng)選擇，選擇DOCP時(shí)，Bios會(huì)自動(dòng)閱讀內(nèi)存的XMP文件，并自動(dòng)根據(jù)XMP設(shè)定來(lái)設(shè)置內(nèi)存頻率、時(shí)序和電壓等選項(xiàng)。內(nèi)存XMP文件可能會(huì)有1-2項(xiàng)甚至更多的頻率設(shè)置，大家注意選擇。AI超頻設(shè)置選擇自動(dòng)時(shí)，內(nèi)存頻率、時(shí)序和電壓大多就需要手動(dòng)設(shè)置了。
Custom CPU Core Ratio自定義CPU核心倍頻，有自動(dòng)和手動(dòng)二個(gè)選擇。自動(dòng)模式下，只需要在下方CPU Core Ratio處將倍頻Auto值修改為你所需要的倍頻數(shù)字就可以了。
CPU理論頻率=倍頻*外頻，外頻默認(rèn)值為100MHz。所以你需要設(shè)定你的CPU為3.8GHz時(shí)，倍頻值應(yīng)輸入38.00。倍頻值每步進(jìn)為0.25。
手動(dòng)模式下，玩家需要手動(dòng)輸入FID和DID值。倍頻=FID*2/DID，一般DID值為8，當(dāng)你需要設(shè)置3.8GHz的CPU頻率時(shí)，F(xiàn)ID值應(yīng)為152。
EPU節(jié)能模式，有開(kāi)啟和關(guān)閉二個(gè)選擇。華碩的EPU節(jié)能模式類同于AMD Cool@Quiet冷又靜，一般超頻情況下應(yīng)予以關(guān)閉。
OC調(diào)節(jié)，有OC Tuner和Keep Current Settings二個(gè)選擇。OC Tuner模式與EZ Mode下選擇高性能一樣，Bios會(huì)自動(dòng)超頻你的CPU，一般手動(dòng)超頻應(yīng)選擇Keep Current Settings。
Performance Bias，華碩跑分作弊選項(xiàng)。正常情況下默認(rèn)自動(dòng)即可。
5、設(shè)置調(diào)整了CPU倍頻后，需要設(shè)置合理的電壓給CPU。
B350-Plus主板的VDDCR CPU電壓設(shè)置只有Auto或Offset Mode二種選擇。Auto自動(dòng)電壓下，CPU電壓將由Bios根據(jù)情況自動(dòng)調(diào)整。
Offset Mode補(bǔ)償模式下，將在CPU的基礎(chǔ)電壓基礎(chǔ)上以“+”或“-”的方式進(jìn)行電壓偏移補(bǔ)償。基礎(chǔ)電壓各類Ryzen CPU均可能不同，1800X/1700X的基礎(chǔ)電壓為1.35V，1700的基礎(chǔ)電壓為1.1875V。
偏移電壓值每步進(jìn)為0.00625mV，可以用小鍵盤+/-進(jìn)行調(diào)整，或直接輸入正確的數(shù)值。
VDDCR SOC Voltage的設(shè)置方式與VDDCR CPU電壓相同，可選擇Auto或Offset Mode。DRAM內(nèi)存電壓，一般內(nèi)存在2800MHz頻率以下（不包括2800MHz）時(shí)，內(nèi)存電壓1.2V即可滿足要求；在2800MHz以上時(shí)，內(nèi)存電壓應(yīng)設(shè)置在1.35V以上，以確保內(nèi)存可以正常運(yùn)行，但一般不宜超過(guò)1.5V。內(nèi)存電壓設(shè)置步進(jìn)為0.005V，同樣可用小鍵盤+/-進(jìn)行調(diào)整，或直接輸入正確的數(shù)值。
6、AI Tweaker界面將光標(biāo)移動(dòng)到DIGI+ VRM子菜單處，按回車或直接鼠標(biāo)點(diǎn)擊，進(jìn)入華碩的數(shù)字供電模塊設(shè)置界面：
DIGI+ VRM界面以供電尤其是防掉壓設(shè)置為主。
Load-Line校正是CPU防掉壓設(shè)置，有自動(dòng)/一般/中等/高/極致5個(gè)選項(xiàng)。
自動(dòng)情況下加壓情況略等于或略小于一般模式。我設(shè)置在1.3V電壓時(shí)，自動(dòng)和一般模式下烤機(jī)下在1.308-1.319V波動(dòng)。中等/高/極致將在前一級(jí)防掉壓基礎(chǔ)上各增加10-12mV電壓，有興趣的玩家可以自己測(cè)試一下。
VDDCR SOC Load Line Calibration【SOC防掉壓】有自動(dòng)/一般/高/極致4個(gè)選項(xiàng)。我設(shè)置在0.95V電壓時(shí)，自動(dòng)模式下SOC電壓在0.938/0.944/0.950三個(gè)數(shù)字之間波動(dòng)，一般模式上比自動(dòng)模式提高約6mV。
VDDCR CPU供電相位控制，有優(yōu)化和極致二個(gè)選項(xiàng)。優(yōu)化模式下，供電由華碩Bios自動(dòng)優(yōu)化并達(dá)到節(jié)能的目的；極致模式下，所有供電相位均衡輸出。建議在超頻情況下選擇極致模式。
VDDCR CPU供電相位切換頻率，B350Plus只有200和300二個(gè)選擇，不能輸入更高的值。一般建議超頻情況下，采用更高的切換頻率以提高超頻穩(wěn)定性。
7、在AI Tweaker界面將光標(biāo)移動(dòng)到內(nèi)存時(shí)序控制子菜單處，按回車或直接鼠標(biāo)點(diǎn)擊，進(jìn)入內(nèi)存時(shí)序設(shè)置界面：
3803之前Bios版本時(shí)，第一項(xiàng)為內(nèi)存失敗重啟次數(shù)。3803版本開(kāi)始，該子項(xiàng)被調(diào)整到內(nèi)存時(shí)序控制最后面的位置。
內(nèi)存時(shí)序控制從上到下的tCL-tRCDRD-tRCDWR-tRP-tRAS-tRC為第一時(shí)序。華碩Prime B350-Plus主板不接受奇數(shù)值的tCL值，設(shè)置tCL15時(shí)，Bios和操作系統(tǒng)將最終會(huì)識(shí)別為tCL16。
第一時(shí)序有二個(gè)設(shè)定小原則：tRAS不得小于tCL與tRCD之和，一般經(jīng)驗(yàn)是在tCL與tRCD之和的基礎(chǔ)加上0~2；tRC不得小于tRP與tRAS之和，一般經(jīng)驗(yàn)是在tRP與tRAS之和的基礎(chǔ)上加上1-3。例如我使用的16-19-19-36-59，或者某雞的14-14-14-28-43。
下面的tRRDS開(kāi)始屬于第二時(shí)序，在B350Plus主板上，tRRDS和TRRDL可以使用主板自動(dòng)值，或者在自動(dòng)值上減1使用；tFAW可以使用主板自動(dòng)值，或者根據(jù)內(nèi)存體質(zhì)適當(dāng)縮減，但不得小于tRRDS的4倍值。
8、tWTRS、tWTRL、tWR可以使用主板默認(rèn)值，或者適當(dāng)縮減。理論上tWR縮減至tWTRL相同值時(shí)，內(nèi)存性能有所提高，但體質(zhì)較差的內(nèi)存為確保穩(wěn)定性時(shí)，tWR建議使用主板默認(rèn)值。
tRCPage自動(dòng)即可，一般默認(rèn)為0。
tRDRD SCL和tWRWR SCL這二個(gè)值對(duì)內(nèi)存讀寫(xiě)性能影響非常大，增加或減少1個(gè)數(shù)字都可以有5~10%的讀寫(xiě)帶寬性能損失或提高。一般在確保內(nèi)存穩(wěn)定性的前提下，大多內(nèi)存這二個(gè)值可以在3333頻率以下壓縮到4，B-Die之流的可以壓縮到2。
tRFC/2/4可以在主板默認(rèn)的基礎(chǔ)上適當(dāng)壓縮以略微提高內(nèi)存帶寬，但壓縮過(guò)度時(shí)會(huì)造成開(kāi)機(jī)多啟甚至無(wú)法啟動(dòng)。tRFC、tRFC2、tRFC4在大多情況下是35：26：16的比例，具體可以查看內(nèi)存信息確定。貌似tRFC2/4對(duì)AM4主板并無(wú)作用。
tCWL開(kāi)始應(yīng)為第三時(shí)序，tCWL在一般經(jīng)驗(yàn)上的做法是等同于tCL或在tCL基礎(chǔ)上減1。tRTP直接使用主板默認(rèn)值。
tRDWR一般設(shè)置為6或7，后面的第三時(shí)序參數(shù)在3333頻率以下大多內(nèi)存可以直接使用上圖的值，除了tCKE。一般內(nèi)存體質(zhì)較好的，tCKE應(yīng)盡可能設(shè)置為1，體質(zhì)較弱的自行提高tCKE值，以過(guò)MT測(cè)試300%以上無(wú)錯(cuò)誤為準(zhǔn)。
9、貌似在AM4平臺(tái)上，指令比率Command Rate設(shè)為1T或2T對(duì)穩(wěn)定性并無(wú)太多影響，但設(shè)為1T時(shí)，內(nèi)存性能比在2T下還是有一定幅度的提升。
若設(shè)為2T系統(tǒng)更穩(wěn)定的，應(yīng)先將Gear Down Mode設(shè)置為Enabled，否則將無(wú)法將CR設(shè)置成2T。
Power Down Enabled應(yīng)為內(nèi)存的節(jié)能選項(xiàng)，關(guān)閉即可。
因本人對(duì)ProcDOT，Rtt終端電阻等沒(méi)研究，所以這里也不多說(shuō)了，個(gè)人習(xí)慣這些都扔在自動(dòng)上。從網(wǎng)上流傳的一些說(shuō)法，這些阻值的設(shè)定，在3803Bios以前和3803時(shí)并不一樣，具體有什么影響，可能因?yàn)橹靼濉、內(nèi)存的個(gè)體不同都不會(huì)一樣。
Mem Over Clock Faile Count”內(nèi)存超頻失敗重啟次數(shù)“，前面提過(guò)這個(gè)Bios參數(shù)，3803Bios以前這個(gè)參數(shù)在內(nèi)存時(shí)序控制第一個(gè)，3803以后就跑到這個(gè)位置了。
3803版本Bios開(kāi)始，內(nèi)存時(shí)序控制增加了CLDO_VDDP Voltage設(shè)置，Bios里可設(shè)置的最小值為700mV，最大我曾經(jīng)設(shè)置到985mV，具體最高限值是多少不太了解了。
據(jù)傳，該參數(shù)需要冷啟動(dòng)方可生效，但在內(nèi)存跑MT測(cè)試時(shí)出現(xiàn)偶爾錯(cuò)誤時(shí)，調(diào)整一個(gè)合適的CLDO_VDDP Voltage值將會(huì)有奇效。不同U和內(nèi)存可能這個(gè)合適的值都不一樣，需要玩家一點(diǎn)點(diǎn)的測(cè)試。按照AMD內(nèi)部人員的說(shuō)法是，提高這個(gè)電壓對(duì)穩(wěn)定性有幫助，但按照Overclock論壇的說(shuō)法，700mV的下限可能都嫌高，625-630mV才是最適合的。
以下還有高級(jí)、監(jiān)控、啟動(dòng)、工具設(shè)置，大家根據(jù)需求設(shè)置即可，如果這篇文章的方法能幫到你，那就收藏白云一鍵重裝系統(tǒng)網(wǎng)站，在這里會(huì)不定期給大家分享常用裝機(jī)故障解決方法。
1、開(kāi)機(jī)或重啟，也就是在出現(xiàn)華碩Logo的時(shí)候，通常屏幕底部會(huì)提示按什么將進(jìn)入Bios設(shè)置，一般是Del、Delete或F2進(jìn)入華碩主板的UEFI Bios設(shè)置，默認(rèn)的初始界面為：EZ Mode，也可以在設(shè)置中修改默認(rèn)為：Advanced Mode。EZ Mode界面能顯示主板信息，Bios版本，處理器、內(nèi)存、硬盤、風(fēng)扇等信息，右上角EZ系統(tǒng)調(diào)整可在一般、高性能和節(jié)能這三項(xiàng)中快速配置系統(tǒng)；
2、按下F7快捷鍵，可以在 EZ Mode 和 Advanced Mode 之間切換，這里主要顯示的是一些系統(tǒng)基礎(chǔ)信息，唯一可以修改的設(shè)置只有Bios語(yǔ)言；
3、使用方向鍵或鼠標(biāo)切換到 Ai Tweaker 項(xiàng)；
4、AI 超頻調(diào)整有自動(dòng)和DOCP二項(xiàng)選擇，選擇DOCP時(shí)，Bios會(huì)自動(dòng)閱讀內(nèi)存的XMP文件，并自動(dòng)根據(jù)XMP設(shè)定來(lái)設(shè)置內(nèi)存頻率、時(shí)序和電壓等選項(xiàng)。內(nèi)存XMP文件可能會(huì)有1-2項(xiàng)甚至更多的頻率設(shè)置，大家注意選擇。AI超頻設(shè)置選擇自動(dòng)時(shí)，內(nèi)存頻率、時(shí)序和電壓大多就需要手動(dòng)設(shè)置了。
Custom CPU Core Ratio自定義CPU核心倍頻，有自動(dòng)和手動(dòng)二個(gè)選擇。自動(dòng)模式下，只需要在下方CPU Core Ratio處將倍頻Auto值修改為你所需要的倍頻數(shù)字就可以了。
CPU理論頻率=倍頻*外頻，外頻默認(rèn)值為100MHz。所以你需要設(shè)定你的CPU為3.8GHz時(shí)，倍頻值應(yīng)輸入38.00。倍頻值每步進(jìn)為0.25。
手動(dòng)模式下，玩家需要手動(dòng)輸入FID和DID值。倍頻=FID*2/DID，一般DID值為8，當(dāng)你需要設(shè)置3.8GHz的CPU頻率時(shí)，F(xiàn)ID值應(yīng)為152。
EPU節(jié)能模式，有開(kāi)啟和關(guān)閉二個(gè)選擇。華碩的EPU節(jié)能模式類同于AMD Cool@Quiet冷又靜，一般超頻情況下應(yīng)予以關(guān)閉。
OC調(diào)節(jié)，有OC Tuner和Keep Current Settings二個(gè)選擇。OC Tuner模式與EZ Mode下選擇高性能一樣，Bios會(huì)自動(dòng)超頻你的CPU，一般手動(dòng)超頻應(yīng)選擇Keep Current Settings。
Performance Bias，華碩跑分作弊選項(xiàng)。正常情況下默認(rèn)自動(dòng)即可。
5、設(shè)置調(diào)整了CPU倍頻后，需要設(shè)置合理的電壓給CPU。
B350-Plus主板的VDDCR CPU電壓設(shè)置只有Auto或Offset Mode二種選擇。Auto自動(dòng)電壓下，CPU電壓將由Bios根據(jù)情況自動(dòng)調(diào)整。
Offset Mode補(bǔ)償模式下，將在CPU的基礎(chǔ)電壓基礎(chǔ)上以“+”或“-”的方式進(jìn)行電壓偏移補(bǔ)償。基礎(chǔ)電壓各類Ryzen CPU均可能不同，1800X/1700X的基礎(chǔ)電壓為1.35V，1700的基礎(chǔ)電壓為1.1875V。
偏移電壓值每步進(jìn)為0.00625mV，可以用小鍵盤+/-進(jìn)行調(diào)整，或直接輸入正確的數(shù)值。
VDDCR SOC Voltage的設(shè)置方式與VDDCR CPU電壓相同，可選擇Auto或Offset Mode。DRAM內(nèi)存電壓，一般內(nèi)存在2800MHz頻率以下（不包括2800MHz）時(shí)，內(nèi)存電壓1.2V即可滿足要求；在2800MHz以上時(shí)，內(nèi)存電壓應(yīng)設(shè)置在1.35V以上，以確保內(nèi)存可以正常運(yùn)行，但一般不宜超過(guò)1.5V。內(nèi)存電壓設(shè)置步進(jìn)為0.005V，同樣可用小鍵盤+/-進(jìn)行調(diào)整，或直接輸入正確的數(shù)值。
6、AI Tweaker界面將光標(biāo)移動(dòng)到DIGI+ VRM子菜單處，按回車或直接鼠標(biāo)點(diǎn)擊，進(jìn)入華碩的數(shù)字供電模塊設(shè)置界面：
DIGI+ VRM界面以供電尤其是防掉壓設(shè)置為主。
Load-Line校正是CPU防掉壓設(shè)置，有自動(dòng)/一般/中等/高/極致5個(gè)選項(xiàng)。
自動(dòng)情況下加壓情況略等于或略小于一般模式。我設(shè)置在1.3V電壓時(shí)，自動(dòng)和一般模式下烤機(jī)下在1.308-1.319V波動(dòng)。中等/高/極致將在前一級(jí)防掉壓基礎(chǔ)上各增加10-12mV電壓，有興趣的玩家可以自己測(cè)試一下。
VDDCR SOC Load Line Calibration【SOC防掉壓】有自動(dòng)/一般/高/極致4個(gè)選項(xiàng)。我設(shè)置在0.95V電壓時(shí)，自動(dòng)模式下SOC電壓在0.938/0.944/0.950三個(gè)數(shù)字之間波動(dòng)，一般模式上比自動(dòng)模式提高約6mV。
VDDCR CPU供電相位控制，有優(yōu)化和極致二個(gè)選項(xiàng)。優(yōu)化模式下，供電由華碩Bios自動(dòng)優(yōu)化并達(dá)到節(jié)能的目的；極致模式下，所有供電相位均衡輸出。建議在超頻情況下選擇極致模式。
VDDCR CPU供電相位切換頻率，B350Plus只有200和300二個(gè)選擇，不能輸入更高的值。一般建議超頻情況下，采用更高的切換頻率以提高超頻穩(wěn)定性。
7、在AI Tweaker界面將光標(biāo)移動(dòng)到內(nèi)存時(shí)序控制子菜單處，按回車或直接鼠標(biāo)點(diǎn)擊，進(jìn)入內(nèi)存時(shí)序設(shè)置界面：
3803之前Bios版本時(shí)，第一項(xiàng)為內(nèi)存失敗重啟次數(shù)。3803版本開(kāi)始，該子項(xiàng)被調(diào)整到內(nèi)存時(shí)序控制最后面的位置。
內(nèi)存時(shí)序控制從上到下的tCL-tRCDRD-tRCDWR-tRP-tRAS-tRC為第一時(shí)序。華碩Prime B350-Plus主板不接受奇數(shù)值的tCL值，設(shè)置tCL15時(shí)，Bios和操作系統(tǒng)將最終會(huì)識(shí)別為tCL16。
第一時(shí)序有二個(gè)設(shè)定小原則：tRAS不得小于tCL與tRCD之和，一般經(jīng)驗(yàn)是在tCL與tRCD之和的基礎(chǔ)加上0~2；tRC不得小于tRP與tRAS之和，一般經(jīng)驗(yàn)是在tRP與tRAS之和的基礎(chǔ)上加上1-3。例如我使用的16-19-19-36-59，或者某雞的14-14-14-28-43。
下面的tRRDS開(kāi)始屬于第二時(shí)序，在B350Plus主板上，tRRDS和TRRDL可以使用主板自動(dòng)值，或者在自動(dòng)值上減1使用；tFAW可以使用主板自動(dòng)值，或者根據(jù)內(nèi)存體質(zhì)適當(dāng)縮減，但不得小于tRRDS的4倍值。
8、tWTRS、tWTRL、tWR可以使用主板默認(rèn)值，或者適當(dāng)縮減。理論上tWR縮減至tWTRL相同值時(shí)，內(nèi)存性能有所提高，但體質(zhì)較差的內(nèi)存為確保穩(wěn)定性時(shí)，tWR建議使用主板默認(rèn)值。
tRCPage自動(dòng)即可，一般默認(rèn)為0。
tRDRD SCL和tWRWR SCL這二個(gè)值對(duì)內(nèi)存讀寫(xiě)性能影響非常大，增加或減少1個(gè)數(shù)字都可以有5~10%的讀寫(xiě)帶寬性能損失或提高。一般在確保內(nèi)存穩(wěn)定性的前提下，大多內(nèi)存這二個(gè)值可以在3333頻率以下壓縮到4，B-Die之流的可以壓縮到2。
tRFC/2/4可以在主板默認(rèn)的基礎(chǔ)上適當(dāng)壓縮以略微提高內(nèi)存帶寬，但壓縮過(guò)度時(shí)會(huì)造成開(kāi)機(jī)多啟甚至無(wú)法啟動(dòng)。tRFC、tRFC2、tRFC4在大多情況下是35：26：16的比例，具體可以查看內(nèi)存信息確定。貌似tRFC2/4對(duì)AM4主板并無(wú)作用。
tCWL開(kāi)始應(yīng)為第三時(shí)序，tCWL在一般經(jīng)驗(yàn)上的做法是等同于tCL或在tCL基礎(chǔ)上減1。tRTP直接使用主板默認(rèn)值。
tRDWR一般設(shè)置為6或7，后面的第三時(shí)序參數(shù)在3333頻率以下大多內(nèi)存可以直接使用上圖的值，除了tCKE。一般內(nèi)存體質(zhì)較好的，tCKE應(yīng)盡可能設(shè)置為1，體質(zhì)較弱的自行提高tCKE值，以過(guò)MT測(cè)試300%以上無(wú)錯(cuò)誤為準(zhǔn)。
9、貌似在AM4平臺(tái)上，指令比率Command Rate設(shè)為1T或2T對(duì)穩(wěn)定性并無(wú)太多影響，但設(shè)為1T時(shí)，內(nèi)存性能比在2T下還是有一定幅度的提升。
若設(shè)為2T系統(tǒng)更穩(wěn)定的，應(yīng)先將Gear Down Mode設(shè)置為Enabled，否則將無(wú)法將CR設(shè)置成2T。
Power Down Enabled應(yīng)為內(nèi)存的節(jié)能選項(xiàng)，關(guān)閉即可。
因本人對(duì)ProcDOT，Rtt終端電阻等沒(méi)研究，所以這里也不多說(shuō)了，個(gè)人習(xí)慣這些都扔在自動(dòng)上。從網(wǎng)上流傳的一些說(shuō)法，這些阻值的設(shè)定，在3803Bios以前和3803時(shí)并不一樣，具體有什么影響，可能因?yàn)橹靼濉、內(nèi)存的個(gè)體不同都不會(huì)一樣。
Mem Over Clock Faile Count”內(nèi)存超頻失敗重啟次數(shù)“，前面提過(guò)這個(gè)Bios參數(shù)，3803Bios以前這個(gè)參數(shù)在內(nèi)存時(shí)序控制第一個(gè)，3803以后就跑到這個(gè)位置了。
3803版本Bios開(kāi)始，內(nèi)存時(shí)序控制增加了CLDO_VDDP Voltage設(shè)置，Bios里可設(shè)置的最小值為700mV，最大我曾經(jīng)設(shè)置到985mV，具體最高限值是多少不太了解了。
據(jù)傳，該參數(shù)需要冷啟動(dòng)方可生效，但在內(nèi)存跑MT測(cè)試時(shí)出現(xiàn)偶爾錯(cuò)誤時(shí)，調(diào)整一個(gè)合適的CLDO_VDDP Voltage值將會(huì)有奇效。不同U和內(nèi)存可能這個(gè)合適的值都不一樣，需要玩家一點(diǎn)點(diǎn)的測(cè)試。按照AMD內(nèi)部人員的說(shuō)法是，提高這個(gè)電壓對(duì)穩(wěn)定性有幫助，但按照Overclock論壇的說(shuō)法，700mV的下限可能都嫌高，625-630mV才是最適合的。
以下還有高級(jí)、監(jiān)控、啟動(dòng)、工具設(shè)置，大家根據(jù)需求設(shè)置即可，如果這篇文章的方法能幫到你，那就收藏白云一鍵重裝系統(tǒng)網(wǎng)站，在這里會(huì)不定期給大家分享常用裝機(jī)故障解決方法。
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華碩主板Bios設(shè)置
設(shè)置Bios方法
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